產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
半導體封裝材料TSDC測試系統在借鑒前沿的測試方法的基礎上，由華測儀器多位工程師多年開(kāi)發(fā)，其具有更強大測試功能，設備支持測試電壓10kV，采用冷熱臺的方式進(jìn)行加溫與制冷，測量引用使用低噪聲線(xiàn)纜，減少測試導線(xiàn)的影響，同時(shí)電極加熱采用直流電極加熱方式，減少電網(wǎng)諧波對測量?jì)x表的干擾。測試功能上增加了高阻測試、擊穿測試，也方便擴展介電譜等測量功能。
詳情介紹：
半導體封裝材料TSDC測試系統
產(chǎn)品優(yōu)勢
支持的硬件
1.外置6517B或其它高壓直流電源
2.外置的高壓放大器（+/-100V到+/-10 kV）
3.低噪聲測試夾具
4.溫度控制器和高低溫腔體
其他測試功能
熱釋電測試 漏電流測試 用戶(hù)定義激勵波形
產(chǎn)品參數
1. 溫度范圍：-185~600°C
2. 控溫精度：±0.25°C
3. 升溫斜率：10°C/min（可設定）
4. 測試頻率：電壓：±10kV
5. 加熱方式：直流電極加熱
6. 冷卻方式：水冷
7. 輸入電壓：AC：220V
8. 樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm
9. 電極材料：黃銅或銀
10. 夾具輔助材料：99氧化鋁陶瓷
11. 低溫制冷：液氮
12. 測試功能：TSDC
13. 數據傳輸：RS-232
14. 設備尺寸：180mmx210mmx50mm
應用領(lǐng)域
廣泛應用于電力、絕緣、生物分子等領(lǐng)域，用于研究材料性能 的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉變、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC技術(shù)也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。TSDC技術(shù)也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。
工作流程
