產(chǎn)品名稱(chēng)：北京華測高溫四探針設備

北京華測高溫四探針設備
一、北京華測高溫四探針設備簡(jiǎn)介：
●北京華測高溫四探針測量系統，該系統可以測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻 以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。
●采用由四端測量方法測試電阻率系統與高溫試驗箱為一體的專(zhuān)用的高溫測試系統，滿(mǎn)足半導體及導體材料因溫度變化對電阻值變化的 測量要求，通以在高溫 、真空、氣氛的條件下測量導電材料電阻和電阻率，可以分析被測樣的電阻和電阻率隨溫度、 時(shí)間變化的曲線(xiàn)． 目前主要針對圓片、方塊、長(cháng)條等樣品進(jìn)行測試，可以廣泛用于碳系導電材料、 金屬系導電材料、 金屬氧化物系導電材料、結 構型高分子導電材料、復合導電材料等材料的電阻率測量。測控軟件可以顯示出溫度與電阻，電阻率，電導率數據的變化曲線(xiàn)。

二、北京華測高溫四探針設備適用范圍：
1、可以測量高溫、真空、氣氛下薄膜方塊電阻和薄層電阻率；
2、軟件、觸摸屏、高溫爐等集成于一體，可以進(jìn)行可視化操作；
3、可實(shí)現純凈氣氛條件下的測量；同時(shí)保證探針在高溫下不氧化；
4、采用labview軟件開(kāi)發(fā)，操控性、兼容性好、方便升級；
5、可自動(dòng)調節樣品測試電壓，探針和薄膜接觸閃絡(luò )現象；
6、控溫和測溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都是樣品實(shí)際溫度；
7、可配套使用Keithley2400或2600數字多用表。

三、北京華測高溫四探針設備特點(diǎn)：
● TVS瞬間抑制防護技術(shù)： 光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理,對于閃絡(luò )放電過(guò)程中的浪涌對控制系統的防護起不到作用。華測的TVS瞬間抑制防護技術(shù)，將起到對控制系統的防護。
● 多級循環(huán)溫度采集技術(shù)： 設備采用PID算法，以及多級循環(huán)溫度采集以保證溫度的有效值?？販睾蜏y溫采用同一個(gè)傳感器，保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實(shí)際溫度.
● 雙系統互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù)： 本設備不僅具備過(guò)壓、過(guò)流保護系統，它的雙系統互鎖機制，當元器件出現問(wèn)題或單系統出現故障時(shí)，將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測技術(shù)以保證采集電流的有效值 ，以及電流抗干擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術(shù) 采用SPWM電子升壓技術(shù)，這一技術(shù)具有升壓速度平穩，精度高。便于維護等優(yōu)點(diǎn)。

四、北京華測高溫四探針設備技術(shù)參數：
●測量溫度：室溫---600°C ;
●控溫精度：±1℃ ，
●顯示精度：±0.1℃；
●升溫斜率：1-5°C/min；
●測量精度：0.05%；
●電阻率：10^-5 ～10⁵ Ω.cm ;
●電導率：10^-5 ～10⁵ s/cm
●方塊電阻：10^-4 ～10⁶ Ω/□；
●電阻：10^-5 ～10⁵ Ω；
●探針間距：2±0.01mm；
●探針壓力：0~2kg可調；
●針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
●真空腔體漏率標準要小于10^-9 Pa m³/s ;
●樣品：直徑15~30mm，厚度小于4mm；
●設備尺寸：680mmX450mmX400mm